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产品名称：场效应MOS管    产品型号：AO3414   极性：N沟道

漏源电压：20V    连续漏极电流：4.2A    封装：SOT-23等

图1）场效应管AO3414（丝印AE9T）封装SOT23

场效应管AO3414规格书（数据手册）下载：AO3414(SOT23).PDF

场效应管AO3414参数资料如下：

极性：NPN

漏源电压(V_DS)：20V

栅源电压(V_GS)：±8V

漏极电流-连续(T_A=25°C)(I_D)：4.2A

漏极电流-连续(T_A=70°C)(I_D)：3.2A

漏极电流-脉冲(I_DM)：15A

功耗(T_A=25°C)(P_D)：1.4W

功耗(T_A=70°C)(P_D)：0.9W

工作与贮存温度范围(T_J,T_STG)：-55 to 150 °С

热阻-结到环境(R_θJA)：125°C/W

热阻-结到外壳(R_θJC)：80°C/W

图2）绝对最大额定值（除非另有说明，否则绝对最大额定值Ta=25°C

图3）电气特性（Ta=25°C，除非另有说明）

图4）场效应管AO3414（SOT-23）封装尺寸

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