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      场效应MOS管ZXMP6A18K参数

      PD最大耗散功率:4.3WID最大漏源电流:-10AV(BR)DSS漏源击穿电压:-60VRDS(ON)Ω内阻:0.055ΩVRDS(ON)ld通态电流:-3.5AVRDS(ON)栅极电压:-10VVGS(th)V开启电压:-1~VVGS(th)ld(μA)开启电流:-250μA

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        工厂地址:安徽省六安市金寨产业园区
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