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[常见问题解答]MOS管应用详解[ 2022-12-31 14:46 ]

1、三个极怎么判定G 极(gate)—栅极，不用说比较好认S 极(source)—源极，不论是 P 沟道还是 N 沟道，两根线相交的就是D 极(drain)—漏极，不论是 P 沟道还是 N 沟道，是单独引线的那边2、N 沟道还是 P 沟道箭头指向 G 极的是 N 沟道箭头背向 G 极的是 P 沟道3、寄生二极管方向如何判定不论 N 沟道还是 P 沟道 MOS 管，中间衬底箭头方向和寄生二极管的箭头方向总是一致的：要么都由 S 指向 D，要么都有 D 指向 S4、MOS 开关实现的

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[常见问题解答]MOS管的GS波形介绍[ 2022-12-30 18:04 ]

看输入波形，MOS 开关波形，电流波形，输出二极管波形，芯片波形，MOS 管的 GS 波形，我们拿开关 GS 波形为例来聊一下 GS 的波形。我们测死 MOS 管 GS 波形时，有时会看到下图中的这种波形，在芯片输出端是非常好的方波输出，但一旦到了 MOS 管的 G 极就出问题了，有振荡，这个振荡小的时候还能勉强过关，但是有时候振荡特别大，看着都教人担心会不会重启。这个波形中的振荡是怎么回事？有没有办法消除？我们一起来看看IC 出来的波形正常，到 C1 两端的波形就有振荡了，实际上这个振荡就是 R1,L1 和 C1

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[常见问题解答]MOS管电平转换电路介绍[ 2022-12-30 17:59 ]

电平转换在电路设计中非常常见，因为做电路设计很多时候就像在搭积木，这个电路模块，加上那个电路模块，拼拼凑凑连起来就是一个电子产品了。而各电路模块间经常会出现电压域不一致的情况，所以模块间的通讯就要使用电平转换电路了。上图是用 MOS 管实现的 I2C 总线电平转换电路，实现 3.3V 电压域与 5V 电压域间的双向通讯。挂在总线上的有 3.3V 的器件，也有 5V 的器件。实物对照图如下。实物的上拉电阻用了 4.7K 欧姆，可以提供更大的电流驱动能力。在满足电路性能的前提下，我喜欢用阻值更大的电阻，因为功耗更低更省

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[常见问题解答]MOS管开关原理及基础知识详解[ 2022-12-30 17:50 ]

一般情况下普遍用于高端驱动的 MOS，导通时需要是栅极电压大于源极电压，而高端驱动的 MOS 管导通时源极电压与漏极电压(VCC)相同，所以这时栅极电压要比 VCC 大 4V 或 10V。如果在同一个系统里，要得到比 VCC 大的电压，就要专门的升压电路了。很多马达驱动器都集成了电荷泵，要注意的是应该选择合适的外接电容，以得到足够的短路电流去驱动 MOS 管。MOS 管是电压驱动，按理说只要栅极电压到到开启电压就能导通 DS，栅极串多大电阻均能导通。但如果要求开关频率较高时，栅对地或 VCC 可以看做是一个电容，对

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[常见问题解答]MOS管的六大失效原因及工作原理介绍[ 2022-12-27 16:24 ]

MOS 管英文全称为 Metal Oxide Semiconductor 即金属氧化物半导体，即在集成电路中绝缘性场效应管。确切的说，这个名字描述了集成电路中 MOS 管的结构，即：在一定结构的半导体器件上，加上二氧化硅和金属，形成栅极。MOS 管的 source 和 drain 是可以对调的，都是在 P 型 backgate 中形成的 N 型区。在多数情况下，两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能，这样的器件被认为是对称的。MOS 管工作原理MOS 管的工作原理(以 N 沟道增强型 MOS 场效应管)它

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[常见问题解答]MOS管散热片不接地时，EMC为何无法通过的介绍[ 2022-12-27 16:18 ]

在电子电路设计当中，很多情况下都要考虑 EMC 的问题。在设计中使用 MOS 管时，在添加散热片时可能会出现一种比较纠结的情况。当 MOS 管的 EMC 通过时，散热片需要接地，而在散热片不接地的情况下，EMC 是无法通过的。那么为何会出现这种现象呢？简单来说，针对传导可以将一些开关辐射通过散热器传导到大地回路，减弱了走传输线，让流通的路径更多了。针对辐射，没接地的散热器不仅没好处，反而是辐射发射源，对 EMC 坏处更大，同时接地了，能起到一定的屏蔽效果，所以布板时，将大电解电容用来做屏蔽用，将 IC 放在大电解电

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[常见问题解答]MOS管参数详解[ 2022-12-26 16:03 ]

我们打开一个 MOS 管的 SPEC，会有很多电气参数，今天说一说热阻、电容和开关时间这三个。热阻，英文 Thermal resistance，指的是当有热量在物体上传输时，在物体两端温度差与热源的功率之间的比值，单位是℃/W 或者是 K/W。半导体散热的三个途径，封装顶部到空气，封装底部到电路板，封装引脚到电路板。结到空气环境的热阻用 ThetaJA 表示，ThetaJA = (Tj-Ta)/P其中Tj为芯片结温，Ta为芯片环境温度，如下图所示。还有一些其他的热阻参数如下：ThetaJC=(Tj-Tc)/P，结到

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[常见问题解答]MOS管当开关控制时，为何用PMOS做上管NMOS做下管的介绍[ 2022-12-24 11:11 ]

了解 MOS 管的开通 / 关断原理你就会发现，使用 PMOS 做上管、NMOS 做下管比较方便。使用 PMOS 做下管、NMOS 做上管的电路设计复杂，一般情况下意义不大，所以很少采用。下面先了解 MOS 管的开通 / 关断原理，请看下图：NMOS 管的主回路电流方向为 D→S，导通条件为 VGS 有一定的压差，一般为 5~10V（G 电位比 S 电位高）；而 PMOS 管的主回路电流方向为 S→D，导通条件为 VGS 有一定的压差，一般为 -5~-10V（S 电位比 G 电位高），下面以导通

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[常见问题解答]MOS管驱动原理图介绍[ 2022-12-24 11:07 ]

MOS管驱动原理图介绍下图为 MOS 驱动电路的电路图。驱动电路采用 Totem 输出结构设计，上拉驱动管为 NMOS 管 N4、晶体管 Q1 和 PMOS 管 P5。下拉驱动管为 NMOS 管 N5。图中 CL 为负载电容，Cpar 为 B 点的寄生电容。虚线框内的电路为自举升压电路。驱动电路的设计思想是利用自举升压结构将上拉驱动管 N4 的栅极（B 点）电位抬升，使得 UB>VDD+VTH ，则 NMOS 管 N4 工作在线性区，使得 VDSN4 大大减小，最终可以实现驱动输出高电平达到 VDD。而在输出

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[常见问题解答]MOS管SOA区间分析介绍[ 2022-12-23 14:17 ]

功率MOS在使用过程中是否能够安全持续的工作，是设计者必须要考虑的问题，设计者在应用MOS时，必须考虑MOS的SOA区间，我们知道开关电源中的MOS长期工作在高电流高电压下，很容易出现过热烧毁的情况，如果散热不及时的话，很容易发生爆炸。那什么是MOS的安全工作区域呢？我们称为SOA （Safe operating area）由一系列限制条件组成的一个漏源极电压VDS和漏极电流ID的二维坐标图，开关器件正常工作时的电压和电流都不应该超过该限定范围。结合功率MOSFET的耐压、电流特性和热阻特性，来理解功率MOSFET

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[常见问题解答]MOS管的米勒效应介绍[ 2022-12-23 14:08 ]

一、认识米勒电容如图，MOS管内部有寄生电容Cgs，Cgd，Cds。因为寄生电容的存在，所以给栅极电压的过程就是给电容充电的过程。其中：输入电容Ciss=Cgs+Cgd，输出电容Coss=Cgd+Cds，反向传输电容Crss=Cgd，也叫米勒电容。然而，这三个等效电容是构成串并联组合关系，它们并不是独立的，而是相互影响，其中一个关键电容就是米勒电容Cgd。这个电容不是恒定的，它随着栅极和漏极间电压变化而迅速变化，同时会影响栅极和源极电容的充电。二、理解米勒效应米勒效应是指MOS管g、d的极间电容Crss在开关动作期

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[常见问题解答]升压电路之3.7v升压5v电路图介绍[ 2022-12-21 14:05 ]

3.7v升压5v电路图（一）LY1058?300KHz开关型DC-DC升压转换器。输入电压2.6-5.5V。低保持电压：0.9V，启动电压1.2V。?固定输出电压：5V1500mA。外置开关MOS管。封装：SOT-23-5。LY9899?300KHzPFM/PWM自动转换开关型DC-DC升压转换器。低电压启动：0.8V启动，输入电压0.8-6.5V。输出电压范围：1.5V~20V；可调输出。输出电流：300mA~2000mA。外置开关MOS管。封装：SOT-23-5。以下是种简单的直流升压电路，主要优点：电路简单、

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[常见问题解答]6串LED恒流控制原理图介绍[ 2022-12-20 14:10 ]

下图实现的功能是直接AC输入，对6串LED分别做恒流控制。该方案应该是目前效率最高、电路成本最低的方案(图1)。直接用光电耦合器对初级侧电路进行回溯控制，调节输出电压。相对于其它传统方案，该方案的开关损耗少。将CS的电压固定在0.25V，对6串LED分别做恒流控制。IC会侦测FB的位置，将电压最低那串LED固定在 0.5V。此时由于各串LED的Vf值的总和不同，产生的压降会落在MOS管上，导致一些损耗。如果是一般对Vf分BIN筛选过后的LED，损耗应该可以控制在2%以内，少于一般的开关损耗。该方案的优点是效率高、成

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[常见问题解答]cmos电路中esd保护结构原理及应用[ 2022-11-29 15:21 ]

ESD(静电放电)是CMOS电路中最为严重的失效机理之一，严重的会造成电路自我烧毁。论述了CMOS集成电路ESD保护的必要性，研究了在CMOS电路中ESD保护结构的设计原理，分析了该结构对版图的相关要求，重点讨论了在I/O电路中ESD保护结构的设计要求。1 引言静电放电会给电子器件带来破坏性的后果，它是造成集成电路失效的主要原因之一。随着集成电路工艺不断发展，CMOS电路的特征尺寸不断缩小，管子的栅氧厚度越来越薄，芯片的面积规模越来越大，MOS管能承受的电流和电压也越来越小，而外围的使用环境并未改变，因此要进一步优

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[常见问题解答]DC-DC电源经常啸叫的原因和解决办法介绍[ 2022-11-24 16:34 ]

稳压电源电路输出的开关电流的频率，或周期性脉冲群的周期频率，或毛刺的周期频率落入20~20kHz的音频范围，且周期性变化的电流经过电感线圈而产生交变磁场，使得该电感线圈在交变磁场作用下像“喇叭”一样在几乎固定的频率上产生机械振动而发出啸叫。啸叫声音的大小与电感绕制的质量有一定关系，绕制较松，其产生的啸叫声将较大。引起DC-DC电路电感啸叫的因素1、负载电流过大。DC-DC芯片内部有一个限流保护电路，当负载超过IC内部的开关MOS管的最大电流时，限流电路检测电路就会调整芯片内部的占空比，或者停

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[常见问题解答]H桥驱动电路二极管的作用介绍[ 2022-11-09 17:46 ]

直流电机H桥电路中四个二极管的作用　　单项直流电桥工作时，任何时候都有两个二极管处于导通状态，另两个处于截止状态。反电动势只有在电机在制动状态下或电路在返乡供电条件下才会存在，不会在一边进行整流工作一边为反电动势工作。　　H桥电路中mos管串联二极管的作用　　因为MOSFET的体二极管速度太慢，有反向直通，所以采用一个二极管串联在外面，外面再整体并联一个。　　而且高压瞬态完全不一样的，就现在大家做的逆变器，全桥，都是没有考虑这个直通的，因为这个直通的时间都是次ns级以内的。　　MOS还是可以扛住的，然后遇到那种变态

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[常见问题解答]MOS管驱动设计细节介绍[ 2022-11-08 17:22 ]

一般认为MOSFET是电压驱动的，不需要驱动电流。然而，在MOS的G S两级之间有结电容存在，这个电容会让驱动MOS变的不那么简单。　　如果不考虑纹波和EMI等要求的话，MOS管开关速度越快越好，因为开关时间越短，开关损耗越小，而在开关电源中开关损耗占总损耗的很大一部分，因此MOS管驱动电路的好坏直接决定了电源的效率。　　对于一个MOS管，如果把GS之间的电压从0拉到管子的开启电压所用的时间越短，那么MOS管开启的速度就会越快。与此类似，如果把MOS管的GS电压从开启电压降到0V的时间越短，那么MOS管关断的速度也

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[常见问题解答]MOS管的导通条件、基本开关电路介绍[ 2022-10-13 14:59 ]

“ 这篇文章主要关于 MOS 管的导通条件和基本开关电路。”01 导通条件NMOS 管和 PMOS 管的导通条件不一样。对于 NMOS，当 Vg-Vs>Vgs(th)时，MOS 管导通，即 G 极和 S 极的差大于一定值，MOS 管会导通，但是也不能大太多，Vgs(th)和其他参数需要看 MOS 管的 SPEC。对于 PMOS，和 NMOS 管是相反的，当 Vs-Vg>vsg(th)时，PMOS 管导通，即 S 极和 G 极的差大于一定值，MOS 管会导通，但是也不能大太多，同样

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[常见问题解答]隧穿场效应晶体管介绍[ 2022-10-10 19:08 ]

隧穿场效应晶体管（TFET）与其他的mos管想对比，其S可以突破60mV/decade的限制，而且TFET的Ioff非常低，所以TFET的工作电压可以进一步地降低。目录1.隧穿场效应晶体管是什么2.隧穿场效应晶体管的工作原理1.隧穿场效应晶体管是什么隧穿场效应晶体管（TFET）在比较小的栅电压条件下，TFET的Ion和Ion/Ioff都会大于传统MOSFTE的Ion和Ion/Ioff。所以TFET被看做是非常有前景的低工作电压和低功耗的逻辑CMOS器件。除了使用多栅结构提高器件的栅控能力和S小于60mV/decad

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[常见问题解答]MOS管损坏的几种介绍[ 2022-09-17 16:07 ]

第一种：雪崩破坏如果在漏极-源极间外加超出器件额定VDSS的电涌电压，而且达到击穿电压V(BR)DSS （根据击穿电流其值不同），并超出一定的能量后就发生破坏的现象。在介质负载的开关运行断开时产生的回扫电压，或者由漏磁电感产生的尖峰电压超出功率MOSFET的漏极额定耐压并进入击穿区而导致破坏的模式会引起雪崩破坏。典型电路：第二种：器件发热损坏由超出安全区域引起发热而导致的。发热的原因分为直流功率和瞬态功率两种。直流功率原因：外加直流功率而导致的损耗引起的发热导通电阻RDS(on)损耗（高温时RDS(on)增大，导致

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